ご相談は随時お受けいたします。

室温原子層堆積法：有機金属材料ガスと酸化性ガスを真空容器に交互に充満させることで、固体基板に酸化物薄膜を非常に均一に制御性よく形成する技術です。従来法では、250℃から300℃程度の基板加熱が必要でしたが、当研究室ではプラズマで発生させた酸化ガスを利用することで、室温での原子層堆積が可能になりました。この優れた低温性は、熱に弱くて適用されていなかった有機エレクトロニクスの分野にもこの技術が利用できることを示唆するものです。本研究室では、この技術を活用して、太陽電池のパッシベーション技術に利用する予定です。

薄膜トランジスタ：薄膜トランジスタは、半導体を薄膜としてバイアスによって薄膜内にキャリア蓄積させることで電導度を変調させ、トランジスタ（電流のスイッチ）として機能させるものです。薄くて透明であるため、有機ELディスレプイの駆動に用いられるほか、チャネル自身をセンサーの母材として活用し、２次元アレイとして活用することもできます。当研究室では、ナノ薄膜でチャネルを形成することで、光センサーや分子吸着センサーの実現を目指しています。

山形大学大学院理工学研究科廣瀬研究室

廣瀬 文彦

工学部

fhirose@yz.yamgata-u.ac.jp

山形大学基金（学部等への支援）
※「学部等名」にプロジェクト名を入力願います。